FGH75T65SQDT_F155
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FCH190N65F-F155

N.º de producto de DigiKey
FCH190N65F-F155-ND
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
FCH190N65F-F155
Descripción
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
FCH190N65F-F155 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3225 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
FCH190
Preguntas y respuestas sobre el producto

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No cancelable/No retornable
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$7.20000$7.20
10$4.86500$48.65
450$3.01422$1,356.40
900$2.97888$2,680.99
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.