MTD10N10ELT4 onsemi | FET simple, MOSFET

MTD10N10ELT4
N.º de producto de DigiKey	MTD10N10ELT4OSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	MTD10N10ELT4
Descripción	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	MTD10N10ELT4 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	220mOhm a 5A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1040 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	MTD10

MTD10N10ELT4