PSMN7R6-60XSQ NXP USA Inc. | FET simple, MOSFET

PSMN7R6-60XSQ
N.º de producto de DigiKey	568-12475-ND
Fabricante	NXP USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN7R6-60XSQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 51.5A (Tc) 46W (Tc) TO-220F

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	NXP USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	51.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2651 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Número de producto base	PSMN7

PSMN7R6-60XSQ