PMN25UN,115 NXP USA Inc. | FET simple, MOSFET

PMN25UN,115
N.º de producto de DigiKey	568-10417-2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	NXP USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMN25UN,115
Descripción	MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 6A (Ta) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) SC-74
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	NXP USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27mOhm a 6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	470 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-74
Paquete / Caja (carcasa)	SC-74, SOT-457
Número de producto base	PMN2

PMN25UN,115