NC1M120C75HTNG NovuSem | Productos de semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NC1M120C75HTNG
N.º de producto de DigiKey	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Fabricante	NovuSem
Número de pieza del fabricante	NC1M120C75HTNG
Descripción	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	NovuSem
Serie	NC1M
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	47A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	75mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 5mA
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1450 pF @ 1000 V
Disipación de potencia (Máx.)	288W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4