Name: PXN8R3-30QLJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PXN8R3-30QLJTR-ND
Price: 0.46 USD
Availability: InStock

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PXN8R3-30QLJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PXN8R3-30QLJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PXN8R3-30QLJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PXN8R3-30QLJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PXN8R3-30QLJ
Descripción	PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 11.4A (Ta), 31A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) MLPAK33
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PXN8R3-30QLJ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.4A (Ta), 31A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.3mOhm a 11.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	MLPAK33
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN