Name: PSMN2R8-80SSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R8-80SSFJTR-ND
Price: 5.77 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

PSMN2R8-80SSFJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN2R8-80SSFJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN2R8-80SSFJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN2R8-80SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN2R8-80SSFJ
Descripción	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 190A (Ta) 341W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	190A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10088 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	341W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK88 (SOT1235)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1235