PSMN1R9-40PLQ Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

PSMN1R9-40PLQ
N.º de producto de DigiKey	1727-1851-ND
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R9-40PLQ
Descripción	MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 40 V 150A (Tc) 349W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PSMN1R9-40PLQ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	150A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	120 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	13200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	349W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	PSMN1R9

PSMN1R9-40PLQ