Name: PSMN1R1-80CSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80CSFJTR-ND
Price: 8.93 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

PSMN1R1-80CSFJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R1-80CSFJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R1-80CSFJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R1-80CSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R1-80CSFJ
Descripción	NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 400A (Ta) 1.071kW (Tc) CCPAK1212i
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 206 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15363 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.071kW (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 400A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor CCPAK1212i
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 12-BESOP (0.370", 9.40mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.16mOhm a 25A, 10V