Name: PSMN1R0-80CSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R0-80CSEJTR-ND
Price: 13.44 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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PSMN1R0-80CSEJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R0-80CSEJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R0-80CSEJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R0-80CSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R0-80CSEJ
Descripción	PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 495A (Tc) 1.55kW (Tc) CCPAK1212i
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	495A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.95Ohm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	504 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	36802 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.55kW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	CCPAK1212i
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 12-BESOP (0.370", 9.40mm de ancho)