PMV50ENEAR Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

Canal N Montaje en superficie 30 V 3.9H (Ta) 510mW (Ta), 3.9W (Tc) TO-236AB

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PMV50ENEAR
N.º de producto de DigiKey	1727-2533-2-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-2533-1-ND - Cinta cortada (CT) 1727-2533-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMV50ENEAR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 3.9H (Ta) 510mW (Ta), 3.9W (Tc) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10 nC @ 10 V
Fabricante Nexperia USA Inc.	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 276 pF @ 15 V
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Disipación de potencia (Máx.) 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.9H (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 43mOhm a 3.9A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA	Número de producto base PMV50

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Sustitutos (7)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMN3051L-7	Diodes Incorporated	15,624	DMN3051LDICT-ND	$0.64000	Similar
DMN3070SSN-7	Diodes Incorporated	3,031	DMN3070SSN-7DICT-ND	$0.57000	Similar
FDN337N	onsemi	193,039	FDN337NCT-ND	$0.90000	Similar
FDN357N	onsemi	1,534	FDN357NCT-ND	$0.84000	Similar
FDN359AN	onsemi	10,573	FDN359ANCT-ND	$0.80000	Similar

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