PMV450ENEAR Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

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Canal N Montaje en superficie 60 V 800mA (Ta) 323mW (Ta), 554mW (Tc) TO-236AB

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PMV450ENEAR
N.º de producto de DigiKey	1727-2532-2-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-2532-1-ND - Cinta cortada (CT) 1727-2532-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMV450ENEAR
Descripción	MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 800mA (Ta) 323mW (Ta), 554mW (Tc) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PMV450ENEAR Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.6 nC @ 10 V
Fabricante Nexperia USA Inc.	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 101 pF @ 30 V
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Disipación de potencia (Máx.) 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 800mA (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 900mA, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (máx) a Id 2.7V a 250µA	Número de producto base PMV450

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSS670AHZGT116	Rohm Semiconductor	2,790	846-BSS670AHZGT116CT-ND	$0.60000	Similar

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