Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND
Price: 11.24 USD
Availability: InStock

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GANE3R9-150QBAZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GANE3R9-150QBAZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GANE3R9-150QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GANE3R9-150QBAZ
Descripción	GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 100A (Ta) 65W (Ta) 25-VQFN (4x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.9mOhm a 30A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2200 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	65W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	25-VQFN (4x6)
Paquete / Caja (carcasa)	25-PowerVFQFN