GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Productos de semiconductores discretos

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Nexperia USA Inc.

En stock: 282

Precio por unidad : $17.39000

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GAN063-650WSAQ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN063-650WSAQ
Descripción	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 34.5A (Tc) 143W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	60mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1000 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	GAN063