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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
MURT10020R | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1913-MURT10020R-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | MURT10020R |
Descripción | DIODE MODULE GP 200V 50A 3TOWER |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Matriz de diodos Ánodo común, 1 par 200 V 50A Montaje de chasis Three Tower |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc. | Tiempo de recuperación inversa (trr) 75 ns |
Embalaje Granel | Corriente - Fuga inversa a Vr 25 µA @ 50 V |
Estado de pieza Obsoleto | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
Configuración de diodo Ánodo común, 1 par | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Tecnología Estándar, polaridad inversa | Paquete / Caja (carcasa) Three Tower |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 200 V | Paquete del dispositivo del proveedor Three Tower |
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) 50A | Número de producto base |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.3 V @ 50 A |
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