GAP3SLT33-220FP Navitas Semiconductor, Inc. | Diódos simples

GAP3SLT33-220FP
N.º de producto de DigiKey	1913-GAP3SLT33-220FP-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	GAP3SLT33-220FP
Descripción	DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 3300 V 300mA Orificio pasante TO-220FP
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	SiC Schottky MPS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	3300 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	300mA
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.7 V @ 300 mA
Velocidad	Tiempo de recuperación cero > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr	5 µA @ 3300 V
Capacitancia según Vr, F	42pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-2, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FP
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	-55°C ~ 175°C
Número de producto base	GAP3SLT33

GAP3SLT33-220FP