NAND128W3A2BN6E Micron Technology Inc. | Memoria

NAND128W3A2BN6E
N.º de producto de DigiKey	NAND128W3A2BN6E-ND
Fabricante	Micron Technology Inc.
Número de pieza del fabricante	NAND128W3A2BN6E
Descripción	IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Memoria FLASH - NAND Memoria IC 128Mbit Paralelo 50 ns 48-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NAND128W3A2BN6E Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Fabricante	Micron Technology Inc.
Serie	-
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	Obsoleto
DigiKey programable	Verificado
Tipo de memoria	No volátil
Formato de la memoria	Memoria flash
Tecnología	Memoria FLASH - NAND
del programa	128Mbit
Organización de la memoria	16 M x 8
Interfaz de memoria	Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página	50ns
Tiempo de acceso	50 ns
Voltaje de la fuente	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	48-TFSOP (0.724", 18.40mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	48-TSOP
Número de producto base	NAND128

NAND128W3A2BN6E