Name: MSC180SMA120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC180SMA120B4N-ND
Price: 6.18 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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MSC180SMA120B4N
N.º de producto de DigiKey	150-MSC180SMA120B4N-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	MSC180SMA120B4N
Descripción	MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 21A (Tc) 147W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Microchip Technology
Serie	MSiC™ MA
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	21A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	225mOhm a 8A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	481 pF @ 1.2 kV
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4