Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 11.36 USD
Availability: InStock

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MSC080SMA120SDT/R
N.º de producto de DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	MSC080SMA120SDT/R
Descripción	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Microchip Technology
Serie	MSiC™ MA
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 15A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	64 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	838 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	182W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA