Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 11.36 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

MSC080SMA120SDT/R
N.º de producto de DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	MSC080SMA120SDT/R
Descripción	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 15A, 20V
Fabricante Microchip Technology	Vgs(th) (máx) a Id 2.8V a 1mA
Serie MSiC™ MA	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64 nC @ 20 V
Embalaje Granel	Vgs (máx.) +23V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 838 pF @ 1000 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 182W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA