


IXTY4N65X2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXTY4N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTY4N65X2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 4A TO252 |
Plazo estándar del fabricante | 27 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 4H (Tc) 80W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 455 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 80W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 850mOhm a 2A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | 3,376 | IPD80R750P7ATMA1CT-ND | $2.03000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.11000 | $4.11 |
| 70 | $1.98843 | $139.19 |
| 140 | $1.80793 | $253.11 |
| 560 | $1.52818 | $855.78 |
| 1,050 | $1.42999 | $1,501.49 |
| 2,030 | $1.34235 | $2,724.97 |
| 5,040 | $1.28413 | $6,472.02 |

