Name: IXTT2N300P3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT2N300P3HV-ND
Price: 48.6 USD
Availability: OutOfStock

IXTT2N300P3HV
N.º de producto de DigiKey	238-IXTT2N300P3HV-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTT2N300P3HV
Descripción	MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Plazo estándar del fabricante	69 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 3000 V 2A (Tc) 520W (Tc) TO-268HV (IXTT)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar P3™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	3000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	21Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1890 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268HV (IXTT)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Número de producto base	IXTT2

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$48.60000	$48.60
30	$34.43100	$1,032.93

IXTT2N300P3HV