Name: IXTA3N120-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA3N120-TRLTR-ND
Price: 9.37 USD
Availability: InStock

IXTA3N120-TRL
N.º de producto de DigiKey	238-IXTA3N120-TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXTA3N120-TRLCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXTA3N120-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTA3N120-TRL
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IXTA3

IXTA3N120-TRL