Name: IXTA12N50P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA12N50P-ND
Price: 4.99 USD
Availability: OutOfStock

IXTA12N50P
N.º de producto de DigiKey	238-IXTA12N50P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTA12N50P
Descripción	MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	500mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1830 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IXTA12

IXTA12N50P