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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IXSJ80N120R1K | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 238-IXSJ80N120R1K-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXSJ80N120R1K |
Descripción | 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 35 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 85H (Tc) 223.2W (Tc) ISO247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.8V a 22.2mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 155 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +21V, -4V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4556 pF @ 800 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 223.2W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor ISO247-4L |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 23.4mOhm a 40A, 18V |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $34.87000 | $34.87 |
| 30 | $22.87500 | $686.25 |
| 120 | $20.95875 | $2,515.05 |
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