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IXSH65N120L2KHV | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 238-IXSH65N120L2KHV-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXSH65N120L2KHV |
Descripción | 1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 27 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 65H (Tc) 375W (Tc) TO-247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 9mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +20V, -5V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2160 pF @ 800 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 52mOhm a 20A, 18V |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $12.04000 | $12.04 |
| 10 | $8.33500 | $83.35 |
| 450 | $5.40171 | $2,430.77 |
| 900 | $5.30438 | $4,773.94 |
