Name: IXSG60N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG60N65L2KTR-ND
Price: 9.6 USD
Availability: InStock

IXSG60N65L2K
N.º de producto de DigiKey	238-IXSG60N65L2KTR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXSG60N65L2KCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXSG60N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXSG60N65L2K
Descripción	650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 60A (Tc) 249W (Tc) TOLL
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	53mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 7.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	94.7 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2200 pF @ 600 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	249W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN

IXSG60N65L2K