Name: IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA110N65L2-7TR-ND
Price: 13.1 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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IXSA110N65L2-7TR
N.º de producto de DigiKey	238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXSA110N65L2-7TR
Descripción	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 111H (Tc) 600W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 12mA
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 125 nC @ 18 V
Estado de pieza Activo	Vgs (máx.) +20V, -5V
Tipo FET Canal N	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3090 pF @ 600 V
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Disipación de potencia (Máx.) 600W (Tc)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 111H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Rds On (máx) @ Id, Vgs 33mOhm a 40A, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

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Paquete estándar del fabricante

238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND

IXSA110N65L2-7TR