238~SOT227B~~4
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXFN55N120SK

N.º de producto de DigiKey
238-IXFN55N120SK-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFN55N120SK
Descripción
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1200 V 54A (Tc) SOT-227B
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
54A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
42mOhm a 40A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id
3.6V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
107 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+15V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3360 pF @ 1000 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-227-4, miniBLOC
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$34.47000$34.47
10$25.49200$254.92
100$22.48000$2,248.00
Paquete estándar del fabricante
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