Canal N Montaje de chasis 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) SOT-227B
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IXFN100N65X2

N.º de producto de DigiKey
IXFN100N65X2-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFN100N65X2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) SOT-227B
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
78A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
30mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
10800 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN100
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$33.46000$33.46
10$24.70500$247.05
100$21.66360$2,166.36
Paquete estándar del fabricante
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