Name: IXFH60N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH60N65X2-4-ND
Price: 14.46 USD
Availability: OutOfStock

IXFH60N65X2-4
N.º de producto de DigiKey	IXFH60N65X2-4-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFH60N65X2-4
Descripción	MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IXFH60N65X2-4 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	780W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	IXFH60

IXFH60N65X2-4