Canal N Orificio pasante 650 V 11A (Tc) 33W (Tc) PG-TO220-3-31
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SPA11N65C3XKSA1

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SPA11N65C3XKSA1-ND
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Infineon Technologies
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SPA11N65C3XKSA1
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MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
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Canal N Orificio pasante 650 V 11A (Tc) 33W (Tc) PG-TO220-3-31
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SPA11N65C3XKSA1 Modelos
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Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
380mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.9V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1200 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
SPA11N65
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En stock: 493
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No se recomienda para un diseño nuevo, ya que es posible que se apliquen cantidades mínimas. cms-view-ph0
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Tubo
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1$3.00000$3.00
50$1.49520$74.76
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1,000$1.01045$1,010.45
2,000$0.95538$1,910.76
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