SN7002NH6433XTMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

SN7002NH6433XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-SN7002NH6433XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-SN7002NH6433XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-SN7002NH6433XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SN7002NH6433XTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) PG-SOT23
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.8V a 26µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	45 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SN7002

SN7002NH6433XTMA1