Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.3 USD
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRLR3636TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3779 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IRLR3636