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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IRL6372PBF | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IRL6372PBF-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IRL6372PBF |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 8.1A 2W Montaje en superficie 8-SO |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Discontinuo en DigiKey | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 8.1A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 17.9mOhm a 8.1A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1.1V a 10µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 11nC a 4.5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1020pF a 25V | |
Potencia - Máx. | 2W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO | |
Número de producto base |
0 en stock
México