Name: IRFP4229PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4229PBF-ND
Price: 4.22 USD
Availability: OutOfStock

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IRFP4229PBF
N.º de producto de DigiKey	IRFP4229PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFP4229PBF
Descripción	MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) TO-247AC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFP4229PBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	44A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	46mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4560 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IRFP4229

IRFP4229PBF