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IRFP4127PBF

N.º de producto de DigiKey
IRFP4127PBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRFP4127PBF
Descripción
MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) TO-247AC
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Modelos EDA/CAD
IRFP4127PBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
21mOhm a 44A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5380 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
341W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
IRFP4127
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