IRFH8337TRPBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRFH8337TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH8337TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH8337TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12.8mOhm a 16.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.35V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	790 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

IRFH8337TRPBF