Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 2.5 USD
Availability: InStock

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IRFH5020TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH5020TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFH5020TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH5020TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFH5020TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 150µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 54 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2290 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.1A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRFH5020
Rds On (máx) @ Id, Vgs 55mOhm a 7.5A, 10V