IRF8313TRPBF Infineon Technologies | Arreglos FET, MOSFET

IRF8313TRPBF es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $1.00000

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IRF8313TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF8313TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF8313TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF8313TRPBF
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 9.7A 2W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF8313TRPBF Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 15.5mOhm a 9.7A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2.35V a 25µA
Serie HEXFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9nC a 4.5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF a 15V
Estado de pieza Obsoleto	Potencia - Máx. 2W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.7A	Número de producto base IRF8313