Name: IRF7329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7329PBFTR-ND
Price: 1.65 USD
Availability: InStock

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IRF7329TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF7329PBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF7329PBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF7329PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7329TRPBF
Descripción	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 12V 9.2A 2W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.2A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	57nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3450pF a 10V
Potencia - Máx.	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	IRF732