IRF6775MTR1PBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRF6775MTR1PBF es obsoleto y ya no se fabrica.

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Rochester Electronics, LLC

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Precio por unidad : $1.17000

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IRF6775MTR1PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF6775MTR1PBFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF6775MTR1PBF
Descripción	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 4.9H (Ta), 28H (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFET™ MZ
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 56mOhm a 5.6A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 100µA
Serie HEXFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1411 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.9H (Ta), 28H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MZ
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) MZ isométrico DirectFET™