IRF6668TR1PBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRF6668TR1PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF6668TR1PBFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF6668TR1PBF
Descripción	MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFET™ MZ
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	55A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.9V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1320 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja (carcasa)	MZ isométrico DirectFET™

IRF6668TR1PBF