Name: IRF6646TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6646TRPBFTR-ND
Price: 2.7 USD
Availability: InStock

IRF6646TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF6646TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF6646TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF6646TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF6646TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFET™ MN
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF6646TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.9V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2060 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MN
Paquete / Caja (carcasa)	MN isométrico DirectFET™
Número de producto base	IRF6646

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
4,800	$0.81304	$3,902.59
9,600	$0.79263	$7,609.25

IRF6646TRPBF