Name: IRF640NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF640NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.42 USD
Availability: InStock

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IRF640NSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF640NSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF640NSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF640NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF640NSTRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 18H (Tc) 150W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF640NSTRLPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 67 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1160 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRF640
Rds On (máx) @ Id, Vgs 150mOhm a 11A, 10V