IRF3808PBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

Canal N Orificio pasante 75 V 140H (Tc) 330W (Tc) TO-220AB

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRF3808PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF3808PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF3808PBF
Descripción	MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 75 V 140H (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF3808PBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 220 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5310 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 330W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 140H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRF3808
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7mOhm a 82A, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPP055N08NF2SAKMA1	Infineon Technologies	939	448-IPP055N08NF2SAKMA1-ND	$2.76000	MFR recomendado
IRFB3077PBF	Infineon Technologies	2,265	IRFB3077PBF-ND	$4.85000	Similar
IRFB3207ZPBF	Infineon Technologies	4,997	IRFB3207ZPBF-ND	$3.77000	Similar
CSD19501KCS	Rochester Electronics, LLC	1,163	2156-CSD19501KCS-ND	$2.83000	Similar
DMTH6005LCT	Diodes Incorporated	0	DMTH6005LCT-ND	$0.87780	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$3.67000	$3.67
50	$1.84400	$92.20
100	$1.66690	$166.69
500	$1.35658	$678.29

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