Name: IRF1010NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.53 USD
Availability: InStock

IRF1010NSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF1010NSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF1010NSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF1010NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF1010NSTRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	85A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 43A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3210 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF1010

IRF1010NSTRLPBF