Name: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 5.11 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 25 V 54H (Ta), 422H (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc) PG-WHTFN-9-1

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Descripción	TRENCH <= 40V
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 54H (Ta), 422H (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc) PG-WHTFN-9-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.5mOhm a 20A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 432µA
Serie OptiMOS™ 7	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±16V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6100 pF @ 12 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 54H (Ta), 422H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-WHTFN-9-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerWDFN