Name: IQE008N03LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.02 USD
Availability: InStock

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IQE008N03LM5CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE008N03LM5CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE008N03LM5CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE008N03LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE008N03LM5CGATMA1
Descripción	TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) PG-TTFN-9-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE008N03LM5CGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5700 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TTFN-9-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 27A (Ta), 253A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base IQE008N
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.85mOhm a 20A, 10V

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Documentos y medios

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En stock: 3,019

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5,000	$0.85578	$4,278.90
10,000	$0.84338	$8,433.80

Paquete estándar del fabricante

IQE008N03LM5CGATMA1