Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 2.96 USD
Availability: InStock

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IQE004NE1LM7CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE004NE1LM7CGATMA1
Descripción	TRENCH <= 40V
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) PG-TTFN-9-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.45mOhm a 30A, 7V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 432µA
Serie OptiMOS™ 7	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 7 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6240 pF @ 7.5 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 15 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 58A (Ta), 379A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TTFN-9-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 7V	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerTDFN