Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 2.76 USD
Availability: InStock

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IQE004NE1LM7CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE004NE1LM7CGATMA1
Descripción	TRENCH <= 40V
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) PG-TTFN-9-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	15 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	58A (Ta), 379A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 7V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.45mOhm a 30A, 7V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 432µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (máx.)	±7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6240 pF @ 7.5 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TTFN-9-3
Paquete / Caja (carcasa)	9-PowerTDFN