Name: IPW60R037P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R037P7XKSA1-ND
Price: 10 USD
Availability: OutOfStock

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Canal N Orificio pasante 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) PG-TO247-3

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IPW60R037P7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW60R037P7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW60R037P7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) PG-TO247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW60R037P7XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1.48mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 121 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5243 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 255W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 76A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPW60R037
Rds On (máx) @ Id, Vgs 37mOhm a 29.5A, 10V

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Documentos y medios

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Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FCH76N60N	onsemi	0	FCH76N60N-ND	$0.00000	Similar
IXFH80N65X2	IXYS	3,650	238-IXFH80N65X2-ND	$18.70000	Similar
IXKH70N60C5	IXYS	210	238-IXKH70N60C5-ND	$29.72000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$10.00000	$10.00
30	$5.88167	$176.45
120	$4.97775	$597.33
510	$4.31569	$2,201.00
1,020	$4.20915	$4,293.33

Paquete estándar del fabricante

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